天岳先进(688234)股票信息|查股网

◆最新指标 (2026年中报)◆

每股收益(元) :-0.1200	目前流通(万股) :42971.10
每股净资产(元) :14.6695	总股本(万股) :48461.85
每股公积金(元) :14.6398	营业收入(万元) :91364.65
每股未分配利润(元) :-0.8046	营收同比(%) :15.10
每股经营现金流(元) :-0.0418i	净利润(万元) :-5861.66
净利率(%) :-6.58	净利润同比(%) :-638.75
毛利率(%) :22.86	净资产收益率(%) :-0.82

◆上期主要指标◆

◇2026一季◇

每股收益(元) :-0.1300	扣非每股收益(元) :-0.1224
每股净资产(元) :14.6780	扣非净利润(万元) :-5933.87
每股公积金(元) :14.6398	营收同比(%) :-10.41
每股未分配利润(元) :-0.8085	净利润同比(%) :-810.36
每股经营现金流(元) :0.0210	净资产收益率(%) :-0.85
毛利率(%) :19.12	净利率(%) :-16.77

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。	所属地域:	山东
主营业务：
题材概念:	智能电网入选理由：碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。2026年2月24日公司在互动平台披露，2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。、半导体入选理由：碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。、华为概念入选理由：截止2024年12月底，华为全资子公司哈勃投资2726.25万股，持股比例为6.34%。另，2022年8月，公司在互动平台表示，公司上市前2019年8月，哈勃投资入股公司。公司发展迅速，陆续吸引了中微公司等在内的一大批在行业内具有重大影响力的投资机构和产业龙头。上市发行期间，包括上汽、小鹏、广汽、宁德等在内的诸多知名战略投资者入股。、第三代半导体入选理由：公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。、碳化硅入选理由：公司顺应行业由6英寸向8英寸升级趋势，并前瞻性地布局12英寸产品，形成了较为清晰的“6英寸稳定供货、8英寸加快放量、12英寸持续突破”的产品梯队。其中，8英寸产品已由技术领先阶段逐步走向主流化应用，公司8英寸产品主营业务收入占比已超过50%。根据富士经济数据，公司2025年全球8英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到51.3%，位居全球第一。在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。、半导体材料入选理由：碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。。
风格概念:	H股入选理由：天岳先进 2025年8月11日在港股上市、中盘入选理由：天岳先进 2026-09-11收盘市值459.90亿元,全市场排名422 、融资融券入选理由：天岳先进 2026年9月10日融资净买入-587.35万元,当前融资余额:129101.92万元。

◆控盘情况◆

	2026-06-30	2026-03-31	2026-02-28	2025-12-31

股东人数 (户)	47777	21734	21966	20182
人均持流通股(股)	8996.9	19785.0	19575.9	21308.7
人均持流通股 (去十大流通股东)	2757.4	5236.1	-	5453.2

点评:

2026年中报披露，前十大股东持有29813.39万股，较上期减少1230.98万股，占总股本比61.50%，主力控盘强度较高。
截止2026年中报合计460家机构，持有15191.78万股，占流通股比35.35%；其中453家公募基金，合计持有4242.58万股，占流通股比9.87%。
股东户数47777户，上期为21734户，变动幅度为119.8261%

◆概念题材◆

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【领先的宽禁带半导体材料生产商】公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。
更新时间：2026-09-09 11:27:40

【新能源领域】碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。2026年2月24日公司在互动平台披露，2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
更新时间：2026-09-09 11:26:52

【先进封装与高端散热领域】碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。
更新时间：2026-09-09 11:25:57

【聚焦大尺寸产品放量】公司顺应行业由6英寸向8英寸升级趋势，并前瞻性地布局12英寸产品，形成了较为清晰的“6英寸稳定供货、8英寸加快放量、12英寸持续突破”的产品梯队。其中，8英寸产品已由技术领先阶段逐步走向主流化应用，公司8英寸产品主营业务收入占比已超过50%。根据富士经济数据，公司2025年全球8英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到51.3%，位居全球第一。在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。
更新时间：2026-09-09 11:23:24

【哈勃投资持股】截止2024年12月底，华为全资子公司哈勃投资2726.25万股，持股比例为6.34%。另，2022年8月，公司在互动平台表示，公司上市前2019年8月，哈勃投资入股公司。公司发展迅速，陆续吸引了中微公司等在内的一大批在行业内具有重大影响力的投资机构和产业龙头。上市发行期间，包括上汽、小鹏、广汽、宁德等在内的诸多知名战略投资者入股。
更新时间：2025-04-08 15:49:28

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2026-05-14 披露原因:连续三个交易日内，涨幅偏离值累计达30%的证券

当日成交量(万手):32.00 当日成交额(万元):536679.49 成交回报净买入额（万元）:13301.75

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	88542.38	0
国泰海通证券股份有限公司总部	36761.50	0
高盛（中国）证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部	22303.31	0
华泰证券股份有限公司深圳益田路荣超商务中心证券营业部	21932.39	0
中国国际金融股份有限公司上海分公司	17806.42	0
买入总计: 187346.00 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	0	65071.31
高盛（中国）证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部	0	37107.81
国泰海通证券股份有限公司总部	0	35267.94
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	0	18425.33
瑞银证券有限责任公司上海花园石桥路证券营业部	0	18171.86
卖出总计: 174044.25 万元

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。	所属地域:	山东
主营业务：
题材概念:	智能电网入选理由：碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。2026年2月24日公司在互动平台披露，2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。、半导体入选理由：碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。、华为概念入选理由：截止2024年12月底，华为全资子公司哈勃投资2726.25万股，持股比例为6.34%。另，2022年8月，公司在互动平台表示，公司上市前2019年8月，哈勃投资入股公司。公司发展迅速，陆续吸引了中微公司等在内的一大批在行业内具有重大影响力的投资机构和产业龙头。上市发行期间，包括上汽、小鹏、广汽、宁德等在内的诸多知名战略投资者入股。、第三代半导体入选理由：公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。、碳化硅入选理由：公司顺应行业由6英寸向8英寸升级趋势，并前瞻性地布局12英寸产品，形成了较为清晰的“6英寸稳定供货、8英寸加快放量、12英寸持续突破”的产品梯队。其中，8英寸产品已由技术领先阶段逐步走向主流化应用，公司8英寸产品主营业务收入占比已超过50%。根据富士经济数据，公司2025年全球8英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到51.3%，位居全球第一。在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。、半导体材料入选理由：碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。。
风格概念:	H股入选理由：天岳先进 2025年8月11日在港股上市、中盘入选理由：天岳先进 2026-09-11收盘市值459.90亿元,全市场排名422 、融资融券入选理由：天岳先进 2026年9月10日融资净买入-587.35万元,当前融资余额:129101.92万元。

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