中瓷电子(003031)股票信息|查股网

◆最新指标 (2026年一季报)◆

每股收益(元) :0.4300	目前流通(万股) :34015.67
每股净资产(元) :14.2121	总股本(万股) :45105.29
每股公积金(元) :7.0684	营业收入(万元) :109904.33
每股未分配利润(元) :5.0014	营收同比(%) :79.05
每股经营现金流(元) :0.8358i	净利润(万元) :19330.34
净利率(%) :19.02	净利润同比(%) :57.32
毛利率(%) :30.55	净资产收益率(%) :2.97

◆上期主要指标◆

◇2025末期◇

每股收益(元) :1.2500	扣非每股收益(元) :1.1864
每股净资产(元) :14.2189	扣非净利润(万元) :53515.15
每股公积金(元) :7.0669	营收同比(%) :8.67
每股未分配利润(元) :5.0129	净利润同比(%) :4.36
每股经营现金流(元) :2.1100	净资产收益率(%) :9.04
毛利率(%) :37.18	净利率(%) :22.21

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。业务分为两大方面：第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件。氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。	所属地域:	河北
主营业务：
题材概念:	5G 入选理由：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。、航天军工入选理由：2022年5月18日公司互动易披露：公司具有军工资质，相关产品满足GJB要求。、央企改革入选理由：公司控股股东为河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），实际控制人为中国电子科技集团。、汽车电子入选理由：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。、半导体入选理由：公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。、陶瓷概念入选理由：公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。、光通信入选理由：2025年10月22日公司在互动平台披露：公司光通信器件外壳传输速率已覆盖2.5Gbps、10Gbps、25Gbps、100Gbps、200Gbps、400Gbps、800Gbps、1.6Tbps，并均已实现量产。2025年11月19日公司在互动平台披露：公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商。、华为概念入选理由：公司已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，甚至是核心供应商，并与其建立了长期、稳定的合作关系。在光通信领域，全球多家著名的光电器件厂商均是公司客户；在无线通信领域，NXP、Infineon等世界知名的半导体公司为公司客户；公司业与国内著名的通信厂商华为、中兴建立了合作关系，合作范围不断扩大。、芯片概念入选理由：GaN射频芯片产业已进入成熟发展的黄金时期，随着通信行业升级、5G基站建设优化、射频能源等领域的广泛应用，市场需求持续释放。经过多年技术攻关，国内GaN射频芯片产品已实现对国外产品的赶超，在核心技术研发与工程应用方面均取得显著进步，具备较强的市场竞争力。公司主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片，相关产品主要供货给国内外通信行业龙头等，同时公司在射频能源、低空经济、通讯干扰等市场布局，已经实现批量出货，预计未来市占比例仍将持续增加。、 6G概念入选理由：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。、卫星互联网入选理由：2026年1月20日公司在互动平台披露，子公司博威公司积极推进卫星通信等新一代通信系统用射频芯片与器件关键技术突破和产品开发工作，目前在手机直连低轨卫星通信等应用领域形成相关芯片与器件关键技术及产品，根据用户需求，稳步推进产业化应用工作。、氮化镓入选理由：GaN射频芯片产业已进入成熟发展的黄金时期，随着通信行业升级、5G基站建设优化、射频能源等领域的广泛应用，市场需求持续释放。经过多年技术攻关，国内GaN射频芯片产品已实现对国外产品的赶超，在核心技术研发与工程应用方面均取得显著进步，具备较强的市场竞争力。公司主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片，相关产品主要供货给国内外通信行业龙头等，同时公司在射频能源、低空经济、通讯干扰等市场布局，已经实现批量出货，预计未来市占比例仍将持续增加。、中国电科集团入选理由：公司控股股东为河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），实际控制人为中国电子科技集团。、第三代半导体入选理由：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。、碳化硅入选理由：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。、消费电子入选理由：公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。、功率半导体入选理由：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。。
风格概念:	深证成指入选理由：公司为深圳证券交易所挂牌上市的所有股票中具有市场代表性的500家上市公司之一。、中盘入选理由：中瓷电子 2026-07-08收盘市值640.22亿元,全市场排名332 、百元股入选理由：中瓷电子2026-07-08收盘价141.94元,全市场排名第155 、融资融券入选理由：中瓷电子 2026年7月7日融资净买入-3554.33万元,当前融资余额:101587.10万元、年度强势。

◆控盘情况◆

	2026-06-30	2026-06-18	2026-06-10	2026-05-29

股东人数 (户)	53524	61406	44855	47977
人均持流通股(股)	6355.2	5539.5	7583.5	7090.0
人均持流通股 (去十大流通股东)	-	-	-	-

点评:

2026年一季报披露，前十大股东持有35515.27万股，较上期减少392.77万股，占总股本比78.73%，主力控盘强度非常高。
截止2026年一季报合计13家机构，持有8481.42万股，占流通股比24.93%；其中6家公募基金，合计持有1264.31万股，占流通股比3.72%。
股东户数36078户，上期为32308户，变动幅度为11.6689%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件】公司是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。业务分为两大方面：第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件。氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。
更新时间：2026-07-02 10:38:31

【氮化镓射频芯片】GaN射频芯片产业已进入成熟发展的黄金时期，随着通信行业升级、5G基站建设优化、射频能源等领域的广泛应用，市场需求持续释放。经过多年技术攻关，国内GaN射频芯片产品已实现对国外产品的赶超，在核心技术研发与工程应用方面均取得显著进步，具备较强的市场竞争力。公司主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片，相关产品主要供货给国内外通信行业龙头等，同时公司在射频能源、低空经济、通讯干扰等市场布局，已经实现批量出货，预计未来市占比例仍将持续增加。
更新时间：2026-07-02 10:38:29

【电子陶瓷产品】公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。
更新时间：2026-07-01 15:01:32

【国联万众】子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。
更新时间：2026-07-01 15:01:29

【博威公司】子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。
更新时间：2026-07-01 15:00:07

【收购雄安太芯100%股权】2026年6月，公司使用募集资金39,809.67万元收购雄安太芯电子科技有限公司100%股权。雄安太芯主要围绕新兴产业应用，基于国产化合物半导体工艺，专业从事太赫兹芯片设计及应用工作。产品主要应用于太赫兹被动安检、太赫兹通信测试新兴领域。
更新时间：2026-06-15 23:35:56

【低轨卫星通信】2026年1月20日公司在互动平台披露，子公司博威公司积极推进卫星通信等新一代通信系统用射频芯片与器件关键技术突破和产品开发工作，目前在手机直连低轨卫星通信等应用领域形成相关芯片与器件关键技术及产品，根据用户需求，稳步推进产业化应用工作。
更新时间：2026-01-28 09:03:35

【光通信器件外壳】2025年10月22日公司在互动平台披露：公司光通信器件外壳传输速率已覆盖2.5Gbps、10Gbps、25Gbps、100Gbps、200Gbps、400Gbps、800Gbps、1.6Tbps，并均已实现量产。2025年11月19日公司在互动平台披露：公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商。
更新时间：2025-11-25 14:56:48

【实际控制人】公司控股股东为河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），实际控制人为中国电子科技集团。
更新时间：2024-07-24 16:07:26

【具有军工资质】2022年5月18日公司互动易披露：公司具有军工资质，相关产品满足GJB要求。
更新时间：2023-10-23 10:41:50

【客户情况】公司已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，甚至是核心供应商，并与其建立了长期、稳定的合作关系。在光通信领域，全球多家著名的光电器件厂商均是公司客户；在无线通信领域，NXP、Infineon等世界知名的半导体公司为公司客户；公司业与国内著名的通信厂商华为、中兴建立了合作关系，合作范围不断扩大。
更新时间：2021-01-04 09:05:23

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2026-05-14 披露原因:涨幅偏离值达7%的证券

当日成交量(万手):16.82 当日成交额(万元):272987.18 成交回报净买入额（万元）:15045.90

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
深股通专用	10873.67	9066.31
开源证券股份有限公司西安太华路证券营业部	10513.34	0
机构专用	9446.54	4323.86
机构专用	5702.69	5333.24
机构专用	5607.96	3407.08
买入总计: 42144.20 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
深股通专用	10873.67	9066.31
机构专用	5702.69	5333.24
金融街证券股份有限公司上海虹口区飞虹路证券营业部	1.64	4967.81
机构专用	9446.54	4323.86
机构专用	5607.96	3407.08
卖出总计: 27098.30 万元

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。业务分为两大方面：第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件。氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。	所属地域:	河北
主营业务：
题材概念:	5G 入选理由：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。、航天军工入选理由：2022年5月18日公司互动易披露：公司具有军工资质，相关产品满足GJB要求。、央企改革入选理由：公司控股股东为河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），实际控制人为中国电子科技集团。、汽车电子入选理由：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。、半导体入选理由：公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。、陶瓷概念入选理由：公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。、光通信入选理由：2025年10月22日公司在互动平台披露：公司光通信器件外壳传输速率已覆盖2.5Gbps、10Gbps、25Gbps、100Gbps、200Gbps、400Gbps、800Gbps、1.6Tbps，并均已实现量产。2025年11月19日公司在互动平台披露：公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商。、华为概念入选理由：公司已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，甚至是核心供应商，并与其建立了长期、稳定的合作关系。在光通信领域，全球多家著名的光电器件厂商均是公司客户；在无线通信领域，NXP、Infineon等世界知名的半导体公司为公司客户；公司业与国内著名的通信厂商华为、中兴建立了合作关系，合作范围不断扩大。、芯片概念入选理由：GaN射频芯片产业已进入成熟发展的黄金时期，随着通信行业升级、5G基站建设优化、射频能源等领域的广泛应用，市场需求持续释放。经过多年技术攻关，国内GaN射频芯片产品已实现对国外产品的赶超，在核心技术研发与工程应用方面均取得显著进步，具备较强的市场竞争力。公司主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片，相关产品主要供货给国内外通信行业龙头等，同时公司在射频能源、低空经济、通讯干扰等市场布局，已经实现批量出货，预计未来市占比例仍将持续增加。、 6G概念入选理由：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。、卫星互联网入选理由：2026年1月20日公司在互动平台披露，子公司博威公司积极推进卫星通信等新一代通信系统用射频芯片与器件关键技术突破和产品开发工作，目前在手机直连低轨卫星通信等应用领域形成相关芯片与器件关键技术及产品，根据用户需求，稳步推进产业化应用工作。、氮化镓入选理由：GaN射频芯片产业已进入成熟发展的黄金时期，随着通信行业升级、5G基站建设优化、射频能源等领域的广泛应用，市场需求持续释放。经过多年技术攻关，国内GaN射频芯片产品已实现对国外产品的赶超，在核心技术研发与工程应用方面均取得显著进步，具备较强的市场竞争力。公司主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片，相关产品主要供货给国内外通信行业龙头等，同时公司在射频能源、低空经济、通讯干扰等市场布局，已经实现批量出货，预计未来市占比例仍将持续增加。、中国电科集团入选理由：公司控股股东为河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所），实际控制人为中国电子科技集团。、第三代半导体入选理由：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。、碳化硅入选理由：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。、消费电子入选理由：公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，氮化铝薄膜基板已实现批量供货，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商，光模块封装用陶瓷外壳和基板市占率处于全球头部地位。公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，静电卡盘产品已经通过国内头部半导体设备公司上机验证，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。、功率半导体入选理由：子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。。
风格概念:	深证成指入选理由：公司为深圳证券交易所挂牌上市的所有股票中具有市场代表性的500家上市公司之一。、中盘入选理由：中瓷电子 2026-07-08收盘市值640.22亿元,全市场排名332 、百元股入选理由：中瓷电子2026-07-08收盘价141.94元,全市场排名第155 、融资融券入选理由：中瓷电子 2026年7月7日融资净买入-3554.33万元,当前融资余额:101587.10万元、年度强势。

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