立昂微(605358)股票信息|查股网

◆最新指标 (2026年6月债转股后)◆

每股收益(元) :0.0094	目前流通(万股) :77219.94
每股净资产(元) :9.0384	总股本(万股) :77219.94
每股公积金(元) :6.8815	营业收入(万元) :99938.11
每股未分配利润(元) :1.1567	营收同比(%) :21.81
每股经营现金流(元) :0.0260i	净利润(万元) :722.46
净利率(%) :0.33	净利润同比(%) :108.92
毛利率(%) :15.56	净资产收益率(%) :0.10

◆上期主要指标◆

◇2025末期◇

每股收益(元) :-0.2100	扣非每股收益(元) :-0.2723
每股净资产(元) :10.3849	扣非净利润(万元) :-18279.28
每股公积金(元) :7.9149	营收同比(%) :16.12
每股未分配利润(元) :1.3197	净利润同比(%) :46.40
每股经营现金流(元) :1.2491	净资产收益率(%) :-1.96
毛利率(%) :9.86	净利率(%) :-5.24

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。公司积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。	所属地域:	浙江
主营业务：
题材概念:	5G 入选理由：2023年7月6日公司在互动平台表示，子公司立昂东芯的化合物半导体射频芯片业务实现了InGap HBT技术在5G移动终端和WiFi无线网络上的应用。另，2023年3月15日公司在互动平台上披露：公司化合物半导体射频芯片产品铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT）应用于 2G/3G/4G/5G 高频、高线性的无线射频通讯市场。、无人驾驶入选理由：2025年12月19日公司投资者关系活动记录表披露：VCSEL芯片，已成功切入高阶智能辅助驾驶与机器人核心供应链并实现大规模出货。、商业航天（航天航空）入选理由：公司pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货。、集成电路入选理由：公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。公司积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。、汽车电子入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。、卫星导航入选理由：公司pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货。、半导体入选理由：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。公司与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，批量供应高端硅片产品。、芯片概念入选理由：公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。、中芯国际概念入选理由：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。公司与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，批量供应高端硅片产品。、氮化镓入选理由：2026年5月14日投资者关系活动记录表显示，公司6英寸碳化硅基氮化镓芯片主要应用于基站、无人机、卫星通信、机器人等。、第三代半导体入选理由：公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。、比亚迪概念入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。、激光雷达入选理由：公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。、汽车芯片入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。、功率半导体入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。。
风格概念:	中盘入选理由：立昂微 2026-07-13收盘市值443.24亿元,全市场排名452 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：立昂微 2026年7月10日融资净买入-8331.14万元,当前融资余额:209988.57万元、 MSCI中国。

◆控盘情况◆

	2026-03-31	2025-12-31	2025-09-30	2025-06-30

股东人数 (户)	92835	88952	104996	75334
人均持流通股(股)	7231.9	7547.6	6394.3	8911.9
人均持流通股 (去十大流通股东)	4618.9	4830.7	4117.1	5589.4

点评:

2026年一季报披露，前十大股东持有24262.88万股，较上期增加90.00万股，占总股本比36.13%，主力控盘强度一般。
截止2026年一季报合计9家机构，持有9943.64万股，占流通股比14.81%；其中4家公募基金，合计持有1225.42万股，占流通股比1.83%。
股东户数92835户，上期为88952户，变动幅度为4.3653%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【主营硅片、功率器件、化合物半导体】公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。公司积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。
更新时间：2026-06-15 15:31:21

【碳化硅基氮化镓芯】2026年5月14日投资者关系活动记录表显示，公司6英寸碳化硅基氮化镓芯片主要应用于基站、无人机、卫星通信、机器人等。
更新时间：2026-06-15 15:31:20

【半导体硅片业务】公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。公司与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，批量供应高端硅片产品。
更新时间：2026-05-19 15:38:01

【化合物半导体射频及光电芯片业务】公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。
更新时间：2026-05-19 15:36:31

【航空航天与卫星通信领域】公司pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货。
更新时间：2026-05-19 15:35:37

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2026-07-06 披露原因:连续三个交易日内，跌幅偏离值累计达20%的证券

当日成交量(万手):78.96 当日成交额(万元):481139.56 成交回报净买入额（万元）:47875.60

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	40822.42	0
中信证券股份有限公司上海分公司	24590.47	0
高盛（中国）证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部	24548.68	0
中信证券股份有限公司深圳深南中路中信大厦证券营业部	23618.22	0
中信证券股份有限公司北京建国门证券营业部	20195.22	0
买入总计: 133775.01 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	0	26351.36
中信证券股份有限公司上海分公司	0	19476.35
中信证券股份有限公司深圳深南中路中信大厦证券营业部	0	17347.40
机构专用	0	11420.37
机构专用	0	11303.93
卖出总计: 85899.41 万元

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。公司积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。	所属地域:	浙江
主营业务：
题材概念:	5G 入选理由：2023年7月6日公司在互动平台表示，子公司立昂东芯的化合物半导体射频芯片业务实现了InGap HBT技术在5G移动终端和WiFi无线网络上的应用。另，2023年3月15日公司在互动平台上披露：公司化合物半导体射频芯片产品铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT）应用于 2G/3G/4G/5G 高频、高线性的无线射频通讯市场。、无人驾驶入选理由：2025年12月19日公司投资者关系活动记录表披露：VCSEL芯片，已成功切入高阶智能辅助驾驶与机器人核心供应链并实现大规模出货。、商业航天（航天航空）入选理由：公司pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货。、集成电路入选理由：公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。公司积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。、汽车电子入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。、卫星导航入选理由：公司pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货。、半导体入选理由：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。公司与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，批量供应高端硅片产品。、芯片概念入选理由：公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。、中芯国际概念入选理由：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。公司与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，批量供应高端硅片产品。、氮化镓入选理由：2026年5月14日投资者关系活动记录表显示，公司6英寸碳化硅基氮化镓芯片主要应用于基站、无人机、卫星通信、机器人等。、第三代半导体入选理由：公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。、比亚迪概念入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。、激光雷达入选理由：公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。、汽车芯片入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。、功率半导体入选理由：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景。公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V 全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。公司车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。。
风格概念:	中盘入选理由：立昂微 2026-07-13收盘市值443.24亿元,全市场排名452 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：立昂微 2026年7月10日融资净买入-8331.14万元,当前融资余额:209988.57万元、 MSCI中国。

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