碳化硅概念股龙头股&碳化硅板块成分股

2026年9月18日公司在互动平台披露，公司本次以简易程序向特定对象发行股票预案拟募投的“8-12英寸大尺寸硅片及碳化硅切磨抛设备研发及产业化”项目，旨在全力突破8英寸碳化硅设备核心功能部件的量产瓶颈，构建核心部件自主化生产能力，加速12英寸单晶硅、12英寸碳化硅设备研发验证及小批量试产，为8-12 英寸大尺寸硅片及碳化硅高精密切磨抛设备的规模化生产奠定基础。

2026年9月7日公司在互动平台披露，目前公司产品有涉足第三代半导体，但未涉足人工钻石领域。公司拟并购的瑞能半导有碳化硅功率器件产品，其碳化硅整流管在全球市占率排名中位列国内厂商第一名，。

公司全资设立的珠海格力电子元器件有限公司负责第三代半导体碳化硅晶圆制造、功率器件封装测试、半导体检测及相关产品服务，产品可广泛应用于商业空调、家用空调、生活家电、新能源汽车、光伏储能、充电桩等领域。目前，电子元器件公司拥有全球领先的全自动化第三代半导体碳化硅芯片生产线，并配套建设行业首座超级能源站，工厂核心设备国产化率超70%，集成AI缺陷检测系统，实现“外延片-晶圆-封装”全流程自主可控。

2026年6月4日公司在互动平台披露，根据Yole发布的2025年碳化硅（SiC）业务排名，公司是中国SiC器件厂商中位居第一的企业。2025年公司碳化硅业务实现同比快速增长，跻身全球前五。

公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶体生长、衬底加工以及晶片外延等全产业链核心工艺技术，突破了关键材料（多孔石墨、涂层材料）的技术壁垒，公司碳化硅产品在关键技术指标方面已追赶上国际龙头企业水平。6/8英寸碳化硅衬底已全面量产，良率和质量均处于行业前列，12英寸碳化硅衬底研发顺利，已推进送样，光学用8/12英寸衬底研发也取得突破；公司在高端碳化硅粉料领域持续深耕，高纯导电型和高纯半绝缘型粉料成为市场标杆产品，高纯陶瓷粉料和热喷涂粉料成功研发。

2026年5月18日公司在互动平台披露，目前公司批量销售碳化硅产品，在光储和消费类应用领域逐步增加市场份额。

2026年6月26日公司在互动平台披露，基于第三代半导体的性能优势，公司于2022年开始布局碳化硅产品，代理的上游芯片原厂主要有ON（安森美）、ST（意法半导体）、ROHM（罗姆）、华为海思等品牌，并于2023年与ON（安森美）成立了碳化硅联合实验室，搭建多个测试平台，为原厂和下游客户提供技术支持及测试服务，重点推进碳化硅产品的市场应用。公司在新能源汽车、储能及AI电源行业布局多年，2026年以来，碳化硅产品销售额较去年同期有较大增长。

公司在2025年7月完成收购苏州铠欣半导体科技有限公司73%股权。苏州铠欣系一家从事化学气相沉积（CVD）碳化硅涂层和CVD碳化硅块体陶瓷零部件研发、生产和销售的高科技企业，公司依托自主研发，在CVD碳化硅陶瓷零部件相关技术与工艺方面有丰富积累和持续研发能力，目前产品已经在Si外延、SiC外延、GaN外延等领域实现规模化应用，碳化硅刻蚀环、碳化硅喷淋头、12吋Si外延用碳化硅涂层石墨基座等先进产品的开发已取得良好进展。苏州铠欣的苏州一期工厂项目于2025年末建成投产。该项目聚焦硅外延用石墨基座的碳化硅涂层加工、炉管晶舟等碳化硅陶瓷套件的碳化硅涂层加工，以及刻蚀用聚焦环、边缘环等核心零部件的精加工及表面处理业务。

2026年6月5日公司在互动平台披露，公司2025年已完成收购辽宁汉京半导体材料有限公司控制权，业务拓展至高纯石英材料及碳化硅陶瓷材料零部件领域。

公司原材料包括大直径单晶硅棒、多晶硅棒、化学气相沉积碳化硅、氧化铝陶瓷造粒粉和氧化钇陶瓷造粒粉等关键半导体材料，主要用于硅零部件、碳化硅零部件和陶瓷零部件等核心零部件的生产。公司通过原材料的自主研发生产，满足了先进工艺客户对硅材料和碳化硅材料的定制化要求，保证了自身供应链安全性和稳定性。原材料制造方面，公司已量产用于硅零部件生产的大直径单晶硅棒、用于高纯碳化硅零部件生产的化学气相沉积碳化硅材料和用于陶瓷零部件生产的氧化铝、氧化钇陶瓷造粒粉，持续推进高致密陶瓷涂层制备工艺的迭代开发。

公司早于行业同行实现SiC量产应用，并率先推出基于双向氮化镓器件的单级矩阵变换器拓扑。公司在新能源汽车车载电源领域已完成第9代平台“锐虎”的技术迭代，全面应用碳化硅（SiC）功率器件，并实现基于双向氮化镓（GaN）器件的单级矩阵变换器拓扑量产技术。面向未来，公司将持续深耕800V高压平台、液冷热管理技术及高功率密度设计，支持整车快充续航升级，深化车载电源与智能驾驶系统的功能融合，优化“大集成”系统方案，助力整车客户实现空间与成本的最优解。

2026年5月12日公司在互动平台披露，在碳化硅领域，公司已布局碳化硅金刚线切片机、碳化硅倒角机及碳化硅减薄机产品，已具备为客户提供切倒磨一体化解决方案能力。公司碳化硅金刚线切片机及碳化硅金刚线已获得天岳先进等客户订单。

公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2025年，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

依托原创性、自主性研发工作，公司在油冷驱动电机、第三代碳化硅半导体控制器、方导体驱动电机、三合一电驱动系统、电磁离合器、非晶带材驱动电机、轮毂驱动电机、多档减速器、储能等多个领域完成主动技术储备。公司参与的合作研发项目中，共有12项纳入“国家重点研发计划”，技术覆盖驱动电机、电力电子、电动化变速器、混合动力系统、增程驱动、特种电驱动等多个业务领域。

2023年，公司投资建设年产6000吨新能源电池材料用碳化硅复合材料生产线，并于2023年2月7日取得新安经济技术开发区管理委员会发的河南省企业投资项目备案证明。公司利用现有厂房,建设年产4000吨新能源电池材料用碳化硅复合材料坩埚生产线1条和年产2000吨新能源电池材料用碳化硅复合材料匣钵生产线1条。项目总投资:13000万元。随着储能电池的新技术快速发展和装机量的逐年增加，未来将是新能源电池的黄金发展期，给耐火材料行业在新能源电池细分领域带来了前所未有的发展机遇。

2025年5月22日公司在互动平台披露：公司结合碳化硅材料功率器件的特性，成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小，高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求，可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

2025年4月28日公司在互动平台披露：公司在碳化硅（SiC）功率器件领域已有产品布局，与国内外厂家均有深入的合作。汇川也非常重视SiC的国产化推进，当下正推进多家国内厂商的产品开发或验证。

公司发动机尾气后处理领域，拥有多种符合国家排放标准的产品，广泛应用于道路车辆、非道路移动机械、固定式动力装置、船舶等领域的尾气处理。公司尾气后处理系统系列产品，已批量供货给中国一汽、潍柴、上汽集团、福田汽车、庆铃五十铃、东风汽车等国内知名主机厂。公司的碳化硅载体、堇青石载体、催化剂、尿素供给模块等，已批量供货给上汽集团、中国一汽、东风股份、福田汽车、潍柴、全柴动力、庆铃五十铃等整车与发动机企业。

公司新品类产品（DC-DC、Driver、Digital PMIC、PowerDevice、Power Module）营收同比大幅增长39%，其中服务器应用领域营收同比增长超4倍。2025年，公司重磅推出12款面向AI计算能源领域的核心新品，首家完成服务器一次电源、二次电源到三次电源的全链路布局，其中面向800V HVDC系统的1700VSiC辅源、隔离驱动、SiC/GaN驱动等芯片、兆赫兹开环DCX控制器、全集成数字硬开关全桥控制器、8/12/16多相VRM、70/90A Cu-Clip DrMOS、EFuse、PoL等高性能功率产品可满足高算力服务器对电源转换效率、稳定性及小型化的要求。

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延片的研发生产和销售。公司目前的主要业务重心在推动8英寸碳化硅的晶体生长的良率提升和设备的优化升级改造，以获取更高质量的SiC衬底片和稳定的设备一致性。

子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订单。预计未来在几方面应用会逐步扩大市场份额。国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。

2023年6月16日，公司实际控制人周彤、LI TONG夫妇与苏州辰隆数字科技有限公司签署《股份转让协议》，公司与辰隆数字签署了《战略合作框架协议》，通过协议转让引入投资方辰隆数字，辰隆数字向公司积极引入碳化硅模组模块、新能源相关产品等业务，主要应用领域涉及新能源汽车、光伏、储能等新能源产业。

在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。公司功率器件产品以MOSFET为主，公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

6英寸SiC生产线建设稳步推进，产能爬坡、技术成熟与高端应用渗透同步提升，报告期内月产能突破1000片；SiC SBD工艺平台技术成熟度与稳定性全面提升；SiC MOS工艺平台已经通线及量产，优化工艺流程持续提升良率。

在MEMS、RFID、第三代半导体功率芯片、存储芯片、LED、光学滤光片等市场得到广泛的应用。公司面向晶圆切割应用，推出覆盖硅/存储/砷化镓/碳化硅/玻璃晶圆的隐形切割设备，以及晶圆low-k层激光开槽等关键设备，全面支持晶圆加工环节的高精度微加工需求，满足先进封装与高端芯片制造对切割精度、效率与稳定性的严苛要求。激光剥离技术采用深紫外激光作用于氮化镓晶体和蓝宝石衬底结合面上，致使氮化镓材料分解气化，使得氮化镓晶粒与蓝宝石衬底分离。该技术主要针对蓝宝石衬底的Micro LED晶圆巨量转移工艺需求，公司开发出了激光剥离设备，应用于碳化硅晶圆和蓝宝石衬底的Micro LED晶圆等领域。

公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已推出多款涵盖多种封装形式的SiC MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证，进入稳定交付阶段，并成功切入行业头部客户供应链，覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景；公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单，该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件；650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段，性能处于国内领先水平；同时，3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充。

公司顺应行业由6英寸向8英寸升级趋势，并前瞻性地布局12英寸产品，形成了较为清晰的“6英寸稳定供货、8英寸加快放量、12英寸持续突破”的产品梯队。其中，8英寸产品已由技术领先阶段逐步走向主流化应用，公司8英寸产品主营业务收入占比已超过50%。根据富士经济数据，公司2025年全球8英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到51.3%，位居全球第一。在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。

公司持有晶睿电子21.3712%的股权。作为国家级专精特新“小巨人”企业，晶睿电子自成立以来，以硅基外延片为基本盘，不断向高附加值产品延展，提升企业价值。晶睿电子目前已是广芯微电子外延片核心供应商之一，与广芯微电子协同开发了多款新品，适用于高效功率变换的250V多层外延超结MOS器件，已进入工程批工艺攻关与良率提升阶段，面向新能源核心场景的650V多层外延超结MOS器件在进行第二轮流片工艺验证与性能优化。2025年，晶睿电子持续提升高附加值产品产能，MEMS传感器用双抛片、SiC外延片、SOI等高价值产品产销量较上年度均有提升。

IGBT效率和出流能力达到行业领先水平，第8代逆导IGBT芯片已量产，第9代IGBT芯片持续推进；SiC电性能水平达到国际主流，实现第3代平面栅芯片、第3.5代精细平面栅芯片量产，第4代沟槽栅芯片送样。功率半导体IGBT产线持续满产，8英寸SiC产线产能爬坡进展顺利，具备稳定产出能力；汽车功率模块国内市占率14%，排名第二，SIC产品定点持续突破；新型电力系统领域国内市占率过半；工业领域，双极领域新签订取得增长。传感器业务持续增长，轨交领域市场稳固，工业和汽车领域聚焦老客户的份额提升和新客户的市场开拓。

公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。

SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展，SiC和GaN产品均实现重要突破。（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。SiC MOS G3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平，已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵，在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。SiC JBS G3产品稳定交付，广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。针对数据中心和光储系统需求，已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进，多款产品实现批量上车应用。GaN：氮化镓外延中心正式启用，产能扩充有序推进。D-mode 650V G5平台多款产品进入量产阶段，关键技术与客户突破成效显著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

联营企业蓝光半导体公司属于半导体分立器件制造行业，主营碳化硅晶体、晶片及合成料的研发、生产与销售，具有高新技术企业、科技型中小企业、专精特新中小企业等资质。蓝光半导体激光芯片是基于第三代半导体材料的大功率蓝光激光器芯片。公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股。

湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

该业务为高端装备的研发、生产和销售，主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等，主要用于生产光伏硅棒和硅片。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。截至2024年12月末，乐山二期的单晶炉等核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态，公司高端装备生产的金刚石炉、半导体切片机等均已完成交付，钛单晶区熔炉等设备已完成基础研发工作，大尺寸碳化硅生长工艺也在持续提升中。

公司主要从事晶体材料生长与加工设备的研发、制造、销售与服务。晶体材料设备主要用于各种晶体的生长制备，如半导体单晶硅生长炉、光伏单晶硅生长炉、蓝宝石晶体生长炉、压电晶体生长炉等，产品广泛应用于半导体、光伏、蓝宝石、人工晶体等各种泛半导体晶体材料领域。公司正在推进人工晶体长晶、加工设备新技术的研发。公司围绕集成电路、工业母机、低空经济、人形机器人、人工智能等新兴产业，加快高纯镓、钨硬质合金、全固态电池材料等高端产品应用验证，推进超导材料、液态金属、高熵合金等前沿材料的创新应用。公司在建年产0.3GKWh钠电池建设项目。

公司碳化硅半导体行业的主要产品为碳化硅单晶晶锭和碳化硅单晶衬底，是半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件。公司正在进一步改善产品品质和良率，以顺应碳化硅衬底材料国产替代及大尺寸衬底前瞻布局的趋势。随着国内碳化硅行业技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。

第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

2024年10月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域，并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关，具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

2024年12月11日公司在互动平台披露，公司在半导体领域投资孵化了力合微、芯海科技、深圳基本半导体有限公司、深圳瑞波光电子有限公司等多个代表性企业，上述企业均为公司参股企业，且涵盖了通信芯片、MCU芯片、碳化硅器件、激光芯片等细分赛道。其中，力合微和芯海科技均为上市公司，基本半导体从事碳化硅功率器件的研发与产业化，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等；瑞波光电从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产，可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片，封装模块及测试表征设备，并可提供研发咨询服务。

碳化硅作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理特性，在新能源汽车、光伏储能、5G通信、AI数据中心等领域展现出广阔的应用前景。公司专注于高品质碳化硅材料的研发与产业化。2025年内，公司持续加大研发投入，在8英寸导电型及半绝缘型晶体生长技术上取得关键突破，关键缺陷位错密度进一步优化至业内第一梯队水平：BPD＜300个/cm2、TSD＜30个/cm2、TED＜1500个/cm2。 相关产品已实现批量稳定生产，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。在半绝缘型产品方面，公司在原有6英寸技术基础上，成功开发并完善了8英寸半绝缘型晶体生长工艺，掌握了高纯半绝缘粉料合成、晶体生长等核心技术，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。2025年内，公司已实现晶体生长环节90%的原材料国产化率，晶片加工环节100%的原材料国产化率。2026年初，公司在碳化硅大尺寸衬底领域取得突破性进展，成功开发出12英寸碳化硅衬底。目前，公司正积极推进12英寸衬底的工艺优化与客户验证准备工作。新能源汽车800V高压平台、AI算力基础设施、光伏储能及AR眼镜等新兴场景对碳化硅材料的需求持续显现。公司坚持在碳化硅领域深耕发展，以高性价比、高国产化率的产品助力下游产业链自主可控，为中国的三代半导体事业添砖加瓦。

2021年11月30日公司在互动平台披露：公司对外投资企业上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司。2023年11月15日公司在互动平台披露：上海瞻芯电子科技有限公司目前是国内碳化硅器件领先企业，可为公司电力电子产品的碳化硅器件应用提供支撑。

参股公司华芯科技建有国内首条6吋化合物半导体生产线，是经国家发改委立项并建设的具有国际先进水平的高性能集成电路制造生产线，开发了成熟稳定的砷化镓有源/无源、氮化镓功率芯片、射频功放芯片、光电感知芯片、碳化硅功率芯片六大工艺制程。产品应用涵盖5G移动通信、雷达探测、新能源汽车及充电桩、光伏、轨道交通、消费类电子、光纤通讯、3D感知等领域。参股公司华芯科技建有高性能集成电路生产线，积极把握高性能、多功能集成电路发展的重要机遇，持续加大技术研发投入，在氮化镓、砷化镓、碳化硅三个新材料芯片方向实现了技术突破，建立了快充芯片、功放芯片、光电感知芯片、新能源芯片等的制造能力。公司在碳化硅、氮化镓第三代半导体芯片制造领域，专利数量排在国内前列,是中国5G联合技术创新中心成员，参与了5G器件标准制定。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程。

2023年11月1日公司互动易披露：公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品，新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前，公司的碳化硅技术储备较为深厚，具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力，处于国内先进水平。

2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

碳化硅装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先，率先开发了12英寸碳化硅外延设备。在蓝宝石装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司（含子公司）拥有半导体技术专利76项（其中发明专利24项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草40余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予四个省级科研平台和一个省级专家工作站，与相关科研院所和高校深入开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

2025年11月4日公司在互动平台披露，公司目前代理的碳化硅产品覆盖MOSFET、MOS以及二极管等多个品类，同时，公司间接持股的芯片设计公司上海芯石，已获取碳化硅领域的IP，并成功开发出相关产品。

2026年2月27日公司在互动平台披露，聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。