入选理由:2026年8月,公司拟在陕西省西咸新区沣西新城投资建设源杰半导体科技产业园项目(暂定名称,以有关部门最终备案名称为准),项目旨在突破公司现有产能瓶颈,扩大高端激光器芯片生产规模,推动高端产品规模化生产和产业化应用,进一步提升公司产品交付能力和市场竞争力。本次项目预计投资总额约426,815.67万元(含土地出让金,最终以实际投资金额为准)。项目聚焦高速激光器芯片领域,把握数据中心市场发展的机遇,契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。依托公司IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础,旨在通过产能扩充与工艺优化,持续响应市场需求变化,提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。