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东微半导(688261)股票综合信息查询

 
沪深个股板块DDE历史数据查询:    
 
◆最新指标 (2026年7月股权激励后)◆
每股收益(元)        :0.8667
目前流通(万股)     :12209.66
每股净资产(元)      :24.6551
总 股 本(万股)     :12264.53
每股公积金(元)      :18.6308
营业收入(万元)     :73643.34
每股未分配利润(元)  :4.6421
营收同比(%)        :19.58
每股经营现金流(元)  :-1.0543i
净利润(万元)       :10630.18
净利率(%)           :14.26
净利润同比(%)      :285.41
毛利率(%)           :17.40
净资产收益率(%)    :3.54
◆上期主要指标◆◇2026一季◇
每股收益(元)        :0.0500
扣非每股收益(元)  :-0.0250
每股净资产(元)      :24.0502
扣非净利润(万元)  :-306.98
每股公积金(元)      :18.7689
营收同比(%)       :-1.10
每股未分配利润(元)  :3.8983
净利润同比(%)     :-28.80
每股经营现金流(元)  :-0.6244
净资产收益率(%)   :0.19
毛利率(%)           :16.67
净利率(%)         :1.20
◆ 公司概要 ◆

证监会行业:

行业:

制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业

电子设备

入选理由:公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级及汽车级领域的超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代,产品获得工业和车载重要客户认可。

所属
地域:

主营业务:
题材概念: 5G
入选理由:公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件(含Si2C MOSFET)以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
储能
入选理由:公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作,通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作,已推出多款涵盖多种封装形式的SiC MOSFET产品,形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证,进入稳定交付阶段,并成功切入行业头部客户供应链,覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景;公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单,该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件;650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段,性能处于国内领先水平;同时,3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充。
充电桩
入选理由:公司主要产品包括数模混合的快速充电控制芯片和开关电源控制芯片。快速充电控制芯片围绕各类快充接口生态布局,开发并量产了供电端快充协议系列、受电端快充协议芯片系列和线缆端电子标签芯片等产品,广泛应用于手机、适配器、车充、储能设备、线缆、IoT设备等领域。开关电源控制芯片包括ACDC数字电源控制器系列、DCDC数字电源控制器系列和栅极控制器。
半导体
入选理由:公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件(含Si2C MOSFET)以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
华为概念
入选理由:截止2023年末,哈勃投资持有公司466.31万股,持股比例4.94%。哈勃投资由华为投资控股有限公司持有100%的股权。
芯片概念
入选理由:公司主要产品包括数模混合的快速充电控制芯片和开关电源控制芯片。快速充电控制芯片围绕各类快充接口生态布局,开发并量产了供电端快充协议系列、受电端快充协议芯片系列和线缆端电子标签芯片等产品,广泛应用于手机、适配器、车充、储能设备、线缆、IoT设备等领域。开关电源控制芯片包括ACDC数字电源控制器系列、DCDC数字电源控制器系列和栅极控制器。
IGBT概念
入选理由:公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件(含Si2C MOSFET)以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
第三代半导体
入选理由:公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作,通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作,已推出多款涵盖多种封装形式的SiC MOSFET产品,形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证,进入稳定交付阶段,并成功切入行业头部客户供应链,覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景;公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单,该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件;650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段,性能处于国内领先水平;同时,3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充。
碳化硅
入选理由:公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作,通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作,已推出多款涵盖多种封装形式的SiC MOSFET产品,形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证,进入稳定交付阶段,并成功切入行业头部客户供应链,覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景;公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单,该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件;650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段,性能处于国内领先水平;同时,3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充。
比亚迪概念
入选理由:公司产品批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英搏尔公司颁发的“最佳交付奖”等。
功率半导体
入选理由:公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件(含Si2C MOSFET)以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
风格概念: 中盘
入选理由:东微半导 2026-09-11收盘市值79.83亿元,全市场排名2170
增持回购
入选理由:公司公告股东有增持或者回购行为
融资融券
入选理由:东微半导 2026年9月10日融资净买入-83.58万元,当前融资余额:40608.04万元
◆控盘情况◆
 
2026-06-30
2026-03-31
2025-12-31
2025-09-30
股东人数    (户)
19364
14451
13157
12628
人均持流通股(股)
6305.3
8449.0
9280.0
9668.7
人均持流通股
(去十大流通股东)
3055.9
4008.4
4388.8
4578.9
点评:
2026年中报披露,前十大股东持有6303.70万股,较上期减少125.79万股,占总股本比51.43%,主力控盘强度较高。
截止2026年中报合计147家机构,持有3062.52万股,占流通股比25.08%;其中142家公募基金,合计持有216.60万股,占流通股比1.77%。
股东户数19364户,上期为14451户,变动幅度为33.9976%
◆概念题材◆

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【功率器件领域】公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件(含Si2C MOSFET)以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
更新时间:2026-09-10 14:03:39

【IC 产品领域】公司主要产品包括数模混合的快速充电控制芯片和开关电源控制芯片。快速充电控制芯片围绕各类快充接口生态布局,开发并量产了供电端快充协议系列、受电端快充协议芯片系列和线缆端电子标签芯片等产品,广泛应用于手机、适配器、车充、储能设备、线缆、IoT设备等领域。开关电源控制芯片包括ACDC数字电源控制器系列、DCDC数字电源控制器系列和栅极控制器。
更新时间:2026-09-10 14:03:11

【SiC器件】公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作,通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作,已推出多款涵盖多种封装形式的SiC MOSFET产品,形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证,进入稳定交付阶段,并成功切入行业头部客户供应链,覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景;公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单,该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件;650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段,性能处于国内领先水平;同时,3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充。
更新时间:2026-09-10 14:01:34

【车载电子领域】公司产品批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英搏尔公司颁发的“最佳交付奖”等。
更新时间:2026-09-10 14:00:42

【拟发行可转债募资不超14.36亿元】2026年7月,公司本次发行可转债募集资金总额(含发行费用)不超过人民币143,588.00万元(含143,588.00万元),扣除发行费用后的募集资金净额将用于新型功率器件技术和产品研发及产业化项目、新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目、研发中心建设项目、补充流动资金。
更新时间:2026-07-03 09:21:33

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2026-07-07 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):19.33 当日成交额(万元):190286.35 成交回报净买入额(万元):14412.85

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
沪股通专用12307.120
浙商证券股份有限公司宁波分公司6286.270
国泰海通证券股份有限公司总部4606.670
国泰海通证券股份有限公司上海长宁区江苏路证券营业部3930.930
华泰证券股份有限公司总部3929.610
买入总计: 31060.60 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
沪股通专用06579.66
财信证券股份有限公司长沙五一大道证券营业部03571.05
光大证券股份有限公司佛山绿景路证券营业部02387.86
招商证券股份有限公司绥化团结街证券营业部02226.42
中国银河证券股份有限公司杭州市心北路证券营业部01882.76
卖出总计: 16647.75 万元

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