燕东微(688172)股票信息|查股网

◆最新指标 (2026年中报)◆

每股收益(元) :-0.3000	目前流通(万股) :119875.41
每股净资产(元) :12.6864	总股本(万股) :142761.81
每股公积金(元) :11.4108	营业收入(万元) :97851.98
每股未分配利润(元) :0.2694	营收同比(%) :48.50
每股经营现金流(元) :-0.1571i	净利润(万元) :-43456.67
净利率(%) :-46.18	净利润同比(%) :-440.56
毛利率(%) :6.54	净资产收益率(%) :-2.39

◆上期主要指标◆

◇2026一季◇

每股收益(元) :-0.1800	扣非每股收益(元) :-0.2190
每股净资产(元) :12.7261	扣非净利润(万元) :-31264.12
每股公积金(元) :11.3281	营收同比(%) :75.84
每股未分配利润(元) :0.3923	净利润同比(%) :-22.99
每股经营现金流(元) :-0.1920	净资产收益率(%) :-1.42
毛利率(%) :-1.98	净利率(%) :-68.66

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司作为专业半导体技术及制造综合服务商，聚焦制造服务和产品解决方案两大业务领域，依托6英寸、8英寸、12英寸芯片产线，已搭建集成电路、功率半导体、硅光等工艺平台，致力于为客户提供专业化服务及定制化方案。产品应用面向消费电子、移动通信、电力电子、智能终端等多个领域。公司坚持“Foundry+IDM”双轮驱动的发展模式，持续强化技术攻关与产业链协同，巩固核心竞争壁垒。	所属地域:	北京
主营业务：
题材概念:	传感器入选理由：该采用多种低应力薄膜制备、双面光刻、干法深槽刻蚀、特殊金属薄膜溅射及图形化加工等工艺技术，建立了标准MEMS工艺模块，通过灵活调整组合，可实现麦克风、压力传感器、红外热成像传感器等多种MEMS产品的加工。、集成电路入选理由：公司作为专业半导体技术及制造综合服务商，聚焦制造服务和产品解决方案两大业务领域，依托6英寸、8英寸、12英寸芯片产线，已搭建集成电路、功率半导体、硅光等工艺平台，致力于为客户提供专业化服务及定制化方案。产品应用面向消费电子、移动通信、电力电子、智能终端等多个领域。公司坚持“Foundry+IDM”双轮驱动的发展模式，持续强化技术攻关与产业链协同，巩固核心竞争壁垒。、半导体入选理由：公司12英寸生产线，产能爬坡与质量管控成效显著，良率超99%。同时核心工艺能力加速转化为市场增长动能，完成12英寸SGT工艺开发，SGT产品导入定型14颗，产品性能达到业内主流水平并且获得市场认可，单月销量超3000片；CMOS平台实现量产。8英寸生产线持续释放规模效应，运营效率、技术突破与平台布局协同并进。2026年上半年产出超36万片，良率超99%；技术拓展方面，完成8英寸SGT工艺开发，产品导入定型8颗；同时，已实现BCD、CMOS、Trench MOS、IGBT、FRD、TMBS及SiN硅光芯片等多元工艺平台的稳定量产，平台化协同优势日益凸显。6英寸生产线持续推进产品结构优化调整，稳固规模化交付能力，报告期内产出超30万片；同时积极调整市场战略，高价值市场拓展成效初显，传统平台焕发强劲增长动能；已实现量产的平台包括：BJT、TVS、JFET、Planar MOS、IGBT、FRD、VDMOS等工艺平台。、光通信入选理由：公司硅光工艺平台建设与技术研发工作稳步推进、成效显著。其中，8英寸SiN平台通过自主工艺研发实现关键性能指标突破，传输损耗性能达到行业量产先进水平。12英寸SOI工艺平台建设进度持续加快，重点围绕低损耗波导、高速调制器、光电探测器等核心工艺模块开展攻坚研发，各项研发工作均严格按照既定节点有序推进。同时，公司积极联动战略客户，深度对接产业化需求，全力加速技术成果落地转化。此外，公司持续加大硅光领域专业技术人才引入力度，不断夯实核心研发团队实力，进一步筑牢技术研发与创新根基，稳步提升公司硅光工艺平台整体核心竞争力。、芯片概念入选理由：公司12英寸生产线，产能爬坡与质量管控成效显著，良率超99%。同时核心工艺能力加速转化为市场增长动能，完成12英寸SGT工艺开发，SGT产品导入定型14颗，产品性能达到业内主流水平并且获得市场认可，单月销量超3000片；CMOS平台实现量产。8英寸生产线持续释放规模效应，运营效率、技术突破与平台布局协同并进。2026年上半年产出超36万片，良率超99%；技术拓展方面，完成8英寸SGT工艺开发，产品导入定型8颗；同时，已实现BCD、CMOS、Trench MOS、IGBT、FRD、TMBS及SiN硅光芯片等多元工艺平台的稳定量产，平台化协同优势日益凸显。6英寸生产线持续推进产品结构优化调整，稳固规模化交付能力，报告期内产出超30万片；同时积极调整市场战略，高价值市场拓展成效初显，传统平台焕发强劲增长动能；已实现量产的平台包括：BJT、TVS、JFET、Planar MOS、IGBT、FRD、VDMOS等工艺平台。、 IGBT概念入选理由：功率器件平台，产品部署加速向光伏、BMS、工业控制等中高端应用场景延伸，产品定型超50款；8英寸IGBT完成工艺开发，新客户导入与新工艺平台建设形成良性互动。IC平台、高压BCD工艺、SOI集成技术、CMOS平台等核心方向取得多项关键技术突破，其中CMOS平台重点产品实现量产突破，12英寸150HV平台完成产品定型；硅光平台已建成国内领先的量产生产线，技术指标达业界先进量产水平，产业化进程全面提速。、大基金概念入选理由：截至2026年6月末，国家集成电路基金持有公司6027.45万股股份，占公司总股本的4.22%。、第三代半导体入选理由：6英寸SiC生产线建设稳步推进，产能爬坡、技术成熟与高端应用渗透同步提升，报告期内月产能突破1000片；SiC SBD工艺平台技术成熟度与稳定性全面提升；SiC MOS工艺平台已经通线及量产，优化工艺流程持续提升良率。、碳化硅入选理由：6英寸SiC生产线建设稳步推进，产能爬坡、技术成熟与高端应用渗透同步提升，报告期内月产能突破1000片；SiC SBD工艺平台技术成熟度与稳定性全面提升；SiC MOS工艺平台已经通线及量产，优化工艺流程持续提升良率。。
风格概念:	中盘入选理由：燕东微 2026-09-11收盘市值612.45亿元,全市场排名317 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：燕东微 2026年9月10日融资净买入-1989.32万元,当前融资余额:66956.61万元。

◆控盘情况◆

	2026-06-30	2026-03-31	2025-12-31	2025-09-30

股东人数 (户)	26432	17821	18802	21188
人均持流通股(股)	45352.4	43666.5	41406.8	27621.9
人均持流通股 (去十大流通股东)	13131.8	16482.5	13787.0	8233.4

点评:

2026年中报披露，前十大股东持有107686.89万股，较上期减少4482.99万股，占总股本比75.44%，主力控盘强度非常高。
截止2026年中报合计511家机构，持有94239.42万股，占流通股比78.61%；其中498家公募基金，合计持有11835.25万股，占流通股比9.87%。
股东户数26432户，上期为17821户，变动幅度为48.3194%

◆概念题材◆

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【专业半导体技术及制造综合服务商】公司作为专业半导体技术及制造综合服务商，聚焦制造服务和产品解决方案两大业务领域，依托6英寸、8英寸、12英寸芯片产线，已搭建集成电路、功率半导体、硅光等工艺平台，致力于为客户提供专业化服务及定制化方案。产品应用面向消费电子、移动通信、电力电子、智能终端等多个领域。公司坚持“Foundry+IDM”双轮驱动的发展模式，持续强化技术攻关与产业链协同，巩固核心竞争壁垒。
更新时间：2026-09-01 13:13:51

【6+8+12英寸产线协】公司12英寸生产线，产能爬坡与质量管控成效显著，良率超99%。同时核心工艺能力加速转化为市场增长动能，完成12英寸SGT工艺开发，SGT产品导入定型14颗，产品性能达到业内主流水平并且获得市场认可，单月销量超3000片；CMOS平台实现量产。8英寸生产线持续释放规模效应，运营效率、技术突破与平台布局协同并进。2026年上半年产出超36万片，良率超99%；技术拓展方面，完成8英寸SGT工艺开发，产品导入定型8颗；同时，已实现BCD、CMOS、Trench MOS、IGBT、FRD、TMBS及SiN硅光芯片等多元工艺平台的稳定量产，平台化协同优势日益凸显。6英寸生产线持续推进产品结构优化调整，稳固规模化交付能力，报告期内产出超30万片；同时积极调整市场战略，高价值市场拓展成效初显，传统平台焕发强劲增长动能；已实现量产的平台包括：BJT、TVS、JFET、Planar MOS、IGBT、FRD、VDMOS等工艺平台。
更新时间：2026-09-01 13:13:49

【新产品研发】功率器件平台，产品部署加速向光伏、BMS、工业控制等中高端应用场景延伸，产品定型超50款；8英寸IGBT完成工艺开发，新客户导入与新工艺平台建设形成良性互动。IC平台、高压BCD工艺、SOI集成技术、CMOS平台等核心方向取得多项关键技术突破，其中CMOS平台重点产品实现量产突破，12英寸150HV平台完成产品定型；硅光平台已建成国内领先的量产生产线，技术指标达业界先进量产水平，产业化进程全面提速。
更新时间：2026-09-01 13:13:40

【大基金持股】截至2026年6月末，国家集成电路基金持有公司6027.45万股股份，占公司总股本的4.22%。
更新时间：2026-09-01 13:13:37

【突破硅光核心工艺】公司硅光工艺平台建设与技术研发工作稳步推进、成效显著。其中，8英寸SiN平台通过自主工艺研发实现关键性能指标突破，传输损耗性能达到行业量产先进水平。12英寸SOI工艺平台建设进度持续加快，重点围绕低损耗波导、高速调制器、光电探测器等核心工艺模块开展攻坚研发，各项研发工作均严格按照既定节点有序推进。同时，公司积极联动战略客户，深度对接产业化需求，全力加速技术成果落地转化。此外，公司持续加大硅光领域专业技术人才引入力度，不断夯实核心研发团队实力，进一步筑牢技术研发与创新根基，稳步提升公司硅光工艺平台整体核心竞争力。
更新时间：2026-09-01 13:12:22

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2026-05-28 披露原因:连续三个交易日内，涨幅偏离值累计达30%的证券

当日成交量(万手):35.80 当日成交额(万元):265608.99 成交回报净买入额（万元）:2403.73

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	51248.81	0
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	24890.10	0
机构专用	22177.61	0
中信证券股份有限公司上海分公司	16488.07	0
机构专用	15068.74	0
买入总计: 129873.33 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	0	44949.94
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	0	26329.43
中信证券股份有限公司上海分公司	0	21623.39
机构专用	0	19631.86
机构专用	0	14934.98
卖出总计: 127469.60 万元

交易日期:2026-05-28 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):35.80 当日成交额(万元):265608.99 成交回报净买入额（万元）:12112.28

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	17863.56	0
机构专用	16790.31	0
机构专用	12115.20	0
机构专用	9034.79	0
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	8873.98	0
买入总计: 64677.84 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	0	21611.79
机构专用	0	10940.08
中信证券股份有限公司上海分公司	0	7125.80
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	0	6676.09
机构专用	0	6211.80
卖出总计: 52565.56 万元

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司作为专业半导体技术及制造综合服务商，聚焦制造服务和产品解决方案两大业务领域，依托6英寸、8英寸、12英寸芯片产线，已搭建集成电路、功率半导体、硅光等工艺平台，致力于为客户提供专业化服务及定制化方案。产品应用面向消费电子、移动通信、电力电子、智能终端等多个领域。公司坚持“Foundry+IDM”双轮驱动的发展模式，持续强化技术攻关与产业链协同，巩固核心竞争壁垒。	所属地域:	北京
主营业务：
题材概念:	传感器入选理由：该采用多种低应力薄膜制备、双面光刻、干法深槽刻蚀、特殊金属薄膜溅射及图形化加工等工艺技术，建立了标准MEMS工艺模块，通过灵活调整组合，可实现麦克风、压力传感器、红外热成像传感器等多种MEMS产品的加工。、集成电路入选理由：公司作为专业半导体技术及制造综合服务商，聚焦制造服务和产品解决方案两大业务领域，依托6英寸、8英寸、12英寸芯片产线，已搭建集成电路、功率半导体、硅光等工艺平台，致力于为客户提供专业化服务及定制化方案。产品应用面向消费电子、移动通信、电力电子、智能终端等多个领域。公司坚持“Foundry+IDM”双轮驱动的发展模式，持续强化技术攻关与产业链协同，巩固核心竞争壁垒。、半导体入选理由：公司12英寸生产线，产能爬坡与质量管控成效显著，良率超99%。同时核心工艺能力加速转化为市场增长动能，完成12英寸SGT工艺开发，SGT产品导入定型14颗，产品性能达到业内主流水平并且获得市场认可，单月销量超3000片；CMOS平台实现量产。8英寸生产线持续释放规模效应，运营效率、技术突破与平台布局协同并进。2026年上半年产出超36万片，良率超99%；技术拓展方面，完成8英寸SGT工艺开发，产品导入定型8颗；同时，已实现BCD、CMOS、Trench MOS、IGBT、FRD、TMBS及SiN硅光芯片等多元工艺平台的稳定量产，平台化协同优势日益凸显。6英寸生产线持续推进产品结构优化调整，稳固规模化交付能力，报告期内产出超30万片；同时积极调整市场战略，高价值市场拓展成效初显，传统平台焕发强劲增长动能；已实现量产的平台包括：BJT、TVS、JFET、Planar MOS、IGBT、FRD、VDMOS等工艺平台。、光通信入选理由：公司硅光工艺平台建设与技术研发工作稳步推进、成效显著。其中，8英寸SiN平台通过自主工艺研发实现关键性能指标突破，传输损耗性能达到行业量产先进水平。12英寸SOI工艺平台建设进度持续加快，重点围绕低损耗波导、高速调制器、光电探测器等核心工艺模块开展攻坚研发，各项研发工作均严格按照既定节点有序推进。同时，公司积极联动战略客户，深度对接产业化需求，全力加速技术成果落地转化。此外，公司持续加大硅光领域专业技术人才引入力度，不断夯实核心研发团队实力，进一步筑牢技术研发与创新根基，稳步提升公司硅光工艺平台整体核心竞争力。、芯片概念入选理由：公司12英寸生产线，产能爬坡与质量管控成效显著，良率超99%。同时核心工艺能力加速转化为市场增长动能，完成12英寸SGT工艺开发，SGT产品导入定型14颗，产品性能达到业内主流水平并且获得市场认可，单月销量超3000片；CMOS平台实现量产。8英寸生产线持续释放规模效应，运营效率、技术突破与平台布局协同并进。2026年上半年产出超36万片，良率超99%；技术拓展方面，完成8英寸SGT工艺开发，产品导入定型8颗；同时，已实现BCD、CMOS、Trench MOS、IGBT、FRD、TMBS及SiN硅光芯片等多元工艺平台的稳定量产，平台化协同优势日益凸显。6英寸生产线持续推进产品结构优化调整，稳固规模化交付能力，报告期内产出超30万片；同时积极调整市场战略，高价值市场拓展成效初显，传统平台焕发强劲增长动能；已实现量产的平台包括：BJT、TVS、JFET、Planar MOS、IGBT、FRD、VDMOS等工艺平台。、 IGBT概念入选理由：功率器件平台，产品部署加速向光伏、BMS、工业控制等中高端应用场景延伸，产品定型超50款；8英寸IGBT完成工艺开发，新客户导入与新工艺平台建设形成良性互动。IC平台、高压BCD工艺、SOI集成技术、CMOS平台等核心方向取得多项关键技术突破，其中CMOS平台重点产品实现量产突破，12英寸150HV平台完成产品定型；硅光平台已建成国内领先的量产生产线，技术指标达业界先进量产水平，产业化进程全面提速。、大基金概念入选理由：截至2026年6月末，国家集成电路基金持有公司6027.45万股股份，占公司总股本的4.22%。、第三代半导体入选理由：6英寸SiC生产线建设稳步推进，产能爬坡、技术成熟与高端应用渗透同步提升，报告期内月产能突破1000片；SiC SBD工艺平台技术成熟度与稳定性全面提升；SiC MOS工艺平台已经通线及量产，优化工艺流程持续提升良率。、碳化硅入选理由：6英寸SiC生产线建设稳步推进，产能爬坡、技术成熟与高端应用渗透同步提升，报告期内月产能突破1000片；SiC SBD工艺平台技术成熟度与稳定性全面提升；SiC MOS工艺平台已经通线及量产，优化工艺流程持续提升良率。。
风格概念:	中盘入选理由：燕东微 2026-09-11收盘市值612.45亿元,全市场排名317 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：燕东微 2026年9月10日融资净买入-1989.32万元,当前融资余额:66956.61万元。

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