2026 年8 月25 日，公司发布2026 年半年度报告：

    　　1）2026H1：营业收入61.28 亿元，同比+17.44%；毛利率26.62%，同比+0.97pct；归母净利润7.22 亿元，同比+113.23%；扣非归母净利润4.14 亿元，同比+51.48%；

    　　2）2026Q2：营业收入32.71 亿元，同比/环比+14.24%/+14.49%；归母/扣非归母净利润3.92/2.73 亿元，同比+53.53%/+31.03%，环比+18.91%/+93.78%。

    　　公司同时公告2026 年半年度利润分配预案，拟每10 股派发现金红利0.56 元（含税），合计7,437.98 万元，占归母净利润10.30%。

    　　评论：

    　　Q2 扣非归母净利润环比增长93.82%，增速显著快于收入。Q2 公司实现营业收入32.71 亿元，同比+14.24%，环比+14.49%；扣非归母净利润2.73 亿元，同比+31.03%，环比+93.78%，利润端弹性明显大于收入端。上半年半导体市场需求回暖带动公司订单充足、产能利用率逐步接近满载，公司综合考虑成本变动情况及市场供需态势对产品价格作出相应调整，价格与稼动率同步改善构成盈利改善的主要来源。费用端，H1 公司管理费用率同比-0.44pct，研发费用率同比-1.93pct 至8.57%。H1 公司归母净利润7.22 亿元，同比+113.23%，其中非经常性损益3.08 亿元，主要为金融资产公允价值变动及处置损益2.67 亿元。

    　　随着价格调整持续传导与稼动率维持高位，公司盈利能力有望进一步改善。

    　　12 英寸先进制程贡献主要增量，产品结构向高附加值平台迁移。H1 公司增速最快的品类共同标签是12 英寸先进制程，其中基于12 英寸先进工艺制程的SGT MOSFET 营收同比增长超40%，SJMOS G4 系列营收同比增长255%，12英寸IGBT 新一代G7 平台完成650V-1200V 全系列产品开发；8 英寸IGBT G5系列在光储市场同比翻倍增长，销售额增长119%。公司在12 英寸先进制程上同步推进产品与产能布局，现有6 英寸晶圆制造产能约23 万片/月、8 英寸约14 万片/月，参股12 英寸产线产能约3 万片/月，另有深圳12 英寸晶圆生产线正在上量爬坡阶段。随着12 英寸平台产品持续放量与参股产线爬坡推进，公司产品结构与盈利中枢有望同步上移。

    　　碳化硅切入AI 供电新架构，新兴应用打开后续渗透空间。H1 公司碳化硅业务汽车电子及储能营收占比超85%，SiC MOS G4 平台已进入行业头部客户，产品在光储、充电桩市场成为首选品牌之一，客户黏性高、订单稳定。面向AI数据中心供电架构变化，公司碳化硅MOS 在固态变压器（SST）、固态继电器（SSR）领域均实现供货，碳化硅Trench JFET 750V 研发取得突破。新兴应用方向上，公司围绕数据中心、光芯片、机器人及低空经济等终端场景形成全链路产品布局，并在关键环节头部客户实现快速上量，为后续业务规模化奠定基础。碳化硅在AI 供电及新兴终端场景的渗透，有望成为公司后续增量的重要来源。

    　　投资建议：价格调整与稼动率回升推动盈利改善，12 英寸先进制程平台产品加速放量，公司作为国内功率半导体龙头厂商，业绩有望加速增长。我们预测公司2026-2028 年归母净利润为15.95/20.37/26.55 亿元， 对应EPS 为1.20/1.53/2.00 元，维持“强推”评级。

    　　风险提示：外部贸易环境变化；下游需求不及预期；新产品新领域拓展不及预期；行业竞争加剧。