事项：

    　　2026 年8 月25 日，公司发布2026 年半年度报告：

    　　1）2026H1：营业收入11.67 亿元，同比+25.57%；毛利率30.04%，同比-5.76pct；归母净利润2.33 亿元，同比-0.75%；扣非归母净利润1.94 亿元，同比-6.49%；

    　　2）2026Q2：营业收入6.50 亿元，同比/环比+35.30%/+25.78%；毛利率31.06%，同比/环比-4.01pct/+2.31pct；归母/扣非归母净利润1.39/1.05 亿元，同比+9.44%/+1.94%，环比+46.84%/+18.62%。

    　　评论：

    　　Q2 营收环比增长25.78%，毛利率修复环比+2.31pct。Q2 公司实现营业收入6.50 亿元，同比+35.30%，环比+25.78%，创单季历史新高；毛利率31.06%，环比+2.31pct，Q2 扣非归母1.05 亿元，环比+18.62%。H1 维度看，公司实现营业收入11.67 亿元，同比+25.57%，收入端增长强劲；归母净利润2.33 亿元，同比-0.75%，扣非归母1.94 亿元，同比-6.49%，利润同比表现弱于收入，主因去年同期毛利率35.80%为阶段性高位、基数较高，H1 毛利率同比回落5.76pct至30.04%。随着公司规模效应持续释放，叠加行业涨价与内部降本逐步传导，下半年盈利能力有望继续改善。

    　　SGT-MOSFET 与IGBT 贡献主要增量，产品结构持续优化。H1 公司SGTMOSFET实现收入5.45 亿元，占主营业务收入46.92%，同比+28.57%，是公司销售规模最大、客户覆盖最广的核心产品平台；IGBT 实现收入1.96 亿元，占主营业务收入16.85%，同比+48.10%，增速在四大工艺平台中领先；Trench-MOSFET 实现收入2.75 亿元，占23.79%，同比+10.27%；SJ-MOSFET 实现收入1.02 亿元，占8.77%。四大工艺平台构成公司收入主体，其中SGT-MOSFET与IGBT 的增速显著快于整体收入增速，产品结构向高附加值方向优化的趋势明确。随着两大平台在高景气下游的持续导入，公司收入结构有望进一步改善。

    　　AI 算力、汽车电子与新能源形成高端增量，封测扩产强化交付能力。功率半导体行业库存处于低位、交期持续拉长，高端产品呈现结构性缺货，2026H1 已有多家国内外厂商发布涨价通知，行业逐步进入量价修复阶段。AI 算力领域，公司SiC MOSFET 及高速SGT MOSFET 已导入E-Fuse、液冷等服务器细分应用并逐步实现销售；汽车领域，公司车规级产品接近400 款，H1 出货量突破1.3 亿颗，80V-200V MOSFET 已大规模量产，面向800V 平台的车规级SiCMOSFET 进入产品验证阶段。产能端，电基集成核心封装产线保持满产，预计下半年TOLL、TO-247 产能增长约一倍，其他封装形式产能提升20%-50%，并同步扩充IPM 及SiC 封测能力。行业量价改善、国产替代与自主封测扩产形成共振，公司高端产品放量及利润率改善空间有望进一步打开。

    　　投资建议：公司充分受益于本轮功率半导体需求回暖，收入放量与盈利环比修复趋势明确，车规与AI 场景的持续渗透打开中长期成长空间。我们将公司2026-2028 年归母净利润预测由5.68/7.20/8.46 亿元调整为5.68/7.77/9.50 亿元，对应EPS 为1.37/1.87/2.29 元。参考公司历史估值水平及自身业绩增速，我们给予公司2027 年38 倍PE，对应目标价71.1 元/股，维持“强推”评级。

    　　风险提示：行业景气度不及预期；产品拓展不及预期；行业竞争加剧。