差异化赛道切入半导体前后道制程，订单进入快速增长期。

    　　国内半导体制程设备国产替代进入关键突破期，公司成功切入半导体制程设备领域，产品布局涵盖前后道关键环节。公司精准切入半导体设备国产替代核心环节，前道领域差异化布局高选择比刻蚀和ALD 设备，后道聚焦半导体泛切割与2.5D/3D 封装，布局激光设备及键合设备。

    　　前道领域产品成功进入多家国内头部逻辑和存储器芯片生产厂并完成多批次客户交付。其中，公司高选择比化学刻蚀设备已完成多品种国产替代；同时，部分薄膜沉积产品已进入芯片生产厂并获得重复订单。

    　　公司布局钼ALD 相关设备，预计将充分受益下游以钼代钨趋势。SK 海力士估计钼在NAND 总产能中的占比将从2025 年的中个位数百分比增长至2027 年的约30%，而从钨到钼转换意味着带来ALD 沉积设备需求，公司前瞻布局有望获得较高市场份额。

    　　公司后道布局混合键合设备，预计将受益于高带宽趋势下所带来的混合键合技术需求。公司自主研发混合键合设备，同时支持W2W 与D2W，设备产品已成功交付客户并获得追加订单。

    　　半导体板块订单已进入快速增长期。目前公司半导体设备产品已进入国内头部芯片厂及封测厂供应链，且订单处于快速增长当中。

    　　异质结海外扩产需求持续，同时公司前瞻布局叠层设备。

    　　当前光伏市场处于调整期，但长期增长逻辑未变。与此同时，基于异质结技术优势，海外持续扩产异质结产线，带来设备采购需求：阿特斯美国2.1GW 异质结电池片已投产，项目规划总产能6GW；日本太阳能电池及组件制造商Toyo 宣布在美国布局1.5GW 太阳能电池产能；SEG正在评估美国境内异质结电池制造工厂选址等。

    　　公司布局异质结-钙钛矿叠层设备，已形成设备交付。公司依托现有PECVD、PVD 核心技术积累，布局钙钛矿叠层设备研发。公司持续推动设备量产效率刷新，自主开发的210H 钙钛矿/晶硅异质结叠层设备已实现32.5%的光电转换效率，相关设备已开始进驻客户生产基地，标志叠层技术领域整线商业化订单已实现交付。

    　　投资建议：

    　　我们预计公司2026/2027/2028 年实现收入71.9/92.7/119.6 亿元，归母净利润5.8/11.6/18.4 亿元，当前市值对应PE 66X/33X/21X。

    　　我们看好公司持续的技术研发能力、新赛道卡位能力及系统级方案提供能力，同时考虑到国内先进制程及先进封装扩产所带来的国产化设备需求，半导体板块有望成为公司主要业绩增长来源；与此同时，光伏板块已经进入触底阶段，对公司业绩的整体拖累影响已大幅减小。基于公司增长潜力及当前市值，我们给予公司“买入”评级。

    　　风险提示：

    　　新产品进展不及预期风险；竞争加剧风险；需求不及预期风险。