来源 :银河微电2026-09-20
近日，常州银河世纪微电子股份有限公司携手复旦大学举办产学研专项技术交流会，聚力 SiC 功率器件及模块研发攻关。双方围绕器件结构设计、先进封装工艺、可靠性评价、仿真建模、动态性能测试等关键方向开展多轮深度研讨。
本次研讨打通前沿基础研究与产业工程化的衔接通道，将高校科研成果、企业产品开发需求和真实工程案例有机结合，搭建起产学研高效联动的创新平台。紧扣新能源汽车产业应用需求，协同助力 SiC 功率器件与模块技术升级、产品迭代与规模化产业化应用。
功率模块的结构设计与封装技术
在 EconoDual 功率模块与嵌埋功率模块专题分享会上，项目团队详细讲解了模块的结构设计、芯片排布以及互连实现方案。结合寄生参数、热分布、应力变形等关键维度的分析，重点探讨模块研发过程中的电?热?力多场协同设计难题。分享从结构建模出发，延伸到工艺实现路径与产品性能测试，完整串联起方案设计、样品制作、验证评价全研发流程。
针对嵌埋式封装技术，报告以 Panel、AMB 两种典型结构作为实例，拆解芯片互连单元、塑封层、再布线层、散热结构之间的相互作用关系，同时介绍贴片、塑封、钻孔、金属化互连、刻蚀等关键制造工序。依托分层结构示意图，把模块设计思路和实际生产制造流程紧密结合，围绕行业低寄生、高散热、小型化紧凑集成的实际设计要求展开深入研讨。
封装材料与界面应力评价方案
针对 SiC 板级扇出型封装技术，团队分享了塑封材料热机械性能的相关研究成果，讲解了材料表征、有限元建模仿真、实验评测等技术手段，探讨如何将热导率、热膨胀系数、弹性模量等关键参数纳入封装设计分析当中。
在界面应力专题环节，报告介绍了共聚焦拉曼光谱检测与热机械建模两种研究手段，清晰展示了从材料基础性能出发，推演封装内部应力、器件翘曲问题的完整研究逻辑。
在 QFN 封装烧结银互连专题中，项目团队针对两款烧结银材料开展温度冲击对比研究，介绍了“实验观测+仿真分析”相结合的综合评估方式，并围绕互连材料选型、界面状态对封装可靠性带来的影响，展开充分交流探讨。
栅极与封装可靠性研究
围绕功率器件栅极可靠性这一课题，团队介绍了 SiC MOSFET 动态栅氧测试平台的整体设计方案。该平台集成上位机控制、信号发生驱动、信号切换、阈值电压采集等多个功能模块，分享重点阐释了栅偏应力加载与器件特征参数测量的联动实现方式，同时拓展介绍了 GaN 器件栅极可靠性的相关研究进展。
在封装可靠性研究层面，交流探讨了盐雾、湿热等复杂环境应力条件下的器件评估思路，聚焦如何结合真实的实际应用工况，科学开展试验方案设计，持续跟踪器件关键参数的变化情况。
器件退化识别与在线监测
在功率 MOSFET 退化在线异常检测专题分享中，团队介绍了基于长短期记忆网络自编码器的智能检测研究方案。围绕器件健康状态数据学习、时序特征解析、故障异常判别三个核心方向展开讲解，探讨数据驱动技术应用于功率器件状态监测的实现思路，为功率半导体器件的可靠性研究提供了全新的技术视角。
关于银河微电
常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专注于半导体器件研发、芯片设计与制造、封装测试、销售及服务为一体的国家级专精特新小巨人企业。具备IDM模式下的一体化经营能力，是国内首家成为AEC国际汽车电子协会会员的半导体分立器件制造商。公司产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、IPM、SiC器件、GaN器件、保护器件、整流器件、小信号器件、光电器件、模拟IC等，可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购需求。产品广泛应用于人工智能、汽车电子、能源动力、工业控制、智能家居、网络通信、计算机及周边设备等领域。
公司于2021年1月27日在上交所上市，股票代码为688689，诚邀各界伙伴携手聚力、共创共赢，共赴辉煌！