随着人工智能、云计算、自动驾驶等前沿技术快速发展，市场对核心处理器（包括CPU、GPU、DPU及ASIC等）的计算能力提出了近乎指数级增长的需求。一方面，持续增长的功耗推动供电电流不断提高；另一方面，有限的PCB空间和更高的能源效率目标，又要求电源系统具备更高功率密度、更低损耗及更强可靠性。
面对新一代算力平台的发展需求，晶丰明源推出第二代4mm×6mm通用封装100A SmartPower Stage智能功率级产品——BPD87500E、BPD87200M。通过工艺迭代和封装升级，进一步提高SmartPower Stage的电流等级、效率和可靠性，降低成本，助力客户设计出具有更高功率密度和成本优势的产品。
01 100A高功率密度智能功率级
BPD87500E、BPD87200M采用4mm×6mm通用封装，在紧凑尺寸下实现100A的输出电流能力，可满足新一代高性能计算平台对高电流、高效率供电的需求。
BPD87500E输入电压范围: 3~16V
BPD87200M输入电压范围: 3~8V
100A电流能力
至高2MHz高频工作
集成电流检测(IMON, 5μA/A)
集成温度检测(TSNS, 8mV/°C)
过流保护(OCP)
过温保护(OTP)
BOOT欠压保护
PWM长高超时保护
02 两大核心技术工艺
LDMOS工艺
晶丰明源打造了面向不同应用需求的LDMOS工艺平台，通过器件结构优化与工艺升级，在导通损耗、功率密度及成本之间实现更优平衡。
24–36V LDMOS工艺：面向Co-Pack封装及大电流SPS解决方案，支持更高击穿电压，优化器件导通电阻，有效降低大电流工作时的导通损耗，提升VR应用效率并增加热设计余量，助力高集成度、高性能与成本优化。
12–24V LDMOS工艺：面向AI服务器SCVR架构及高性能笔记本等低压应用，进一步降低单位Rsp，简化功率FET制造流程及封装工艺，在提升转换效率的同时，实现更紧凑的高密度集成，并降低整体制造成本。
全新Co-Pack封装
除了工艺升级，晶丰明源第二代Smart Power Stage还采用全新Co-Pack封装架构。相比第一代单晶+基板（Substrate）方案，以及行业普遍采用的多晶圆+框架（Leadframe）方案，全新Co-Pack封装融合两者优势，采用多晶圆+基板（Substrate）设计，在性能、成本及研发效率之间实现更优平衡。
主要优势包括：
功率器件独立优化，提升性能；
减少功率部分光刻次数，降低成本；
简化封装结构，增强重载性能；
LDMOS与Gate Driver组合更加灵活，加快新品开发速度。
03 多维性能验证，打造高效可靠的供电方案
得益于LDMOS工艺与Co-Pack封装技术，BPD87500E在效率、可靠性及系统性能方面均表现出色。
更高转换效率
BPD87500E的上下管阻抗较小，在VIN=12V应用和2 phase常用的负载范围80A~100A下，效率已超越主流竞品。同时，BPD87500E的上下管BV电压也具有优势，满足12V应用需求，保障其可靠性。
在VIN=6V应用场景中，BPD87500E同样保持优异效率表现，为AI服务器低压供电架构提供更高能效支持。BPD87200M将采用低压器件，上下管阻抗更低，预期低压应用中的效率能有进一步的提升。
更低尖峰电压，更高可靠性
在高速开关过程中，SW节点尖峰电压是影响系统可靠性和EMI性能的重要因素。测试数据显示，在VIN=12V、负载40A条件下，BPD87500E的SW节点最大尖峰电压仅为21.3V，显著低于竞品的24.8V。更低的尖峰电压可有效降低器件电压应力，改善EMI表现，进一步提升系统运行的可靠性。
高精度IMON，提升动态性能
IMON具有检测和汇报电感电流的功能，对于动态性能至关重要。BPD87500E在稳态与动态下IMON均能精准跟随电感电流，保障系统的稳定工作与更优的动态性能。
04 赋能算力时代，打造高性能电源新方案
随着AI算力持续提升，高性能计算平台对供电系统提出了更高标准。
晶丰明源推出的第二代4mm x 6mm通用封装100ASmart Power Stage智能功率级产品BPD87500E，BPD87200M，基于LDMOS工艺和全新的Co-Pack封装，产品阻抗更小、效率更高、功率密度更高、可靠性更好、成本更优，为客户提供更有竞争力的电源解决方案
未来，晶丰明源将持续深耕，不断推动工艺、封装与产品创新，为AI服务器、高性能计算及更多智能应用提供高效、可靠的电源产品，助力下一代算力基础设施持续发展。
晶丰明源
上海晶丰明源半导体股份有限公司（股票代码：688368），成立于2008年10月，是专业的电源管理和控制驱动芯片供应商。公司总部位于上海，在杭州、成都、南京、海南和香港设有子公司，在深圳、厦门、中山、东莞、苏州等15个城市设有客户支持中心。
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