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中微公司公告:董事长尹志尧拟减持股份

http://www.gubit.cn  2026-10-01  中微公司内幕信息

来源 :60秒读半导体芯闻2026-10-01

中微公司发了一则公告:董事长尹志尧拟减持 0.046%股权,备注原因是「本人已从外籍恢复为中国籍,为依法办理相关税务的需要」。一家市值两千亿的硬核科技公司,掌舵人减持,股民却安静了——答案就在那行小小的备注里。

  从硅谷顶尖专家到回国创业

  1944 年尹志尧生于北京,中科大读化学物理、北大读研,36 岁赴美,在加州大学洛杉矶分校拿下博士。

  此后二十年,美国三大芯片设备巨头他轮转了一遍:英特尔做工艺工程师、泛林半导体做研发,最后进入全球最大的设备公司应用材料,做到副总裁、刻蚀产品事业部总经理。

  个人名下 80 多项美国专利,被公认为等离子体刻蚀领域最有影响力的专家之一。

  刻蚀是什么?芯片制造三大核心工艺是光刻、刻蚀、薄膜沉积。尹志尧打了个比方:薄膜沉积是铺红纸,光刻是在纸上画花纹,刻蚀就是那把剪刀,把不该有的部分剪掉,每一代制程都绕不开这把剪刀。

  2004 年,时任上海市经委副主任的江上舟找到他,劝他回国自己干。那一年尹志尧 60 岁,本可在硅谷功成名就,却辞去应用材料副总裁,回上海创办中微。

  目标就一个:做出中国人自己的刻蚀机。当时美日巨头垄断几十年、专利壁垒密不透风,外界普遍认为一家中国初创公司活不下来。

  在诉讼与封锁中突围

  2007 年 6 月,中微第一台双反应台 CCP 刻蚀设备研制成功,可用于 12 英寸晶圆、覆盖 65 至 45 纳米,实现国产高端刻蚀从 0 到 1 的跨越。麻烦立刻上门:应用材料在美国起诉中微侵权,泛林跟进。

  尹志尧的应对是教科书式的——研发上推严苛的「净室」流程、设计之初就做专利规避;法庭上请顶尖律师自证核心技术的自主研发,甚至直接向法官展示独立设计的反应腔室结构。

  另外,2009 年中微在上海反诉应用材料不正当竞争,官司拉锯两年半后 2010 年和解,此后泛林再起诉均以中微胜诉告终。

  此后,中微不断刷新成绩单:开发出 18 种等离子体刻蚀设备,覆盖 65 纳米到 5 纳米。

  ?2010 年从零起步做 MOCVD,打破美德垄断;

  ?2015 年,美国商务部解除对中国高端刻蚀设备的出口管制,理由写得很直白——中微的刻蚀机已研发成功并量产,封锁「已无必要」。封锁是被打破的,不是被取消的。

  ?2018 年首次入选 5 纳米产线;

  ?2019 年登陆科创板。

从「涉军清单」到放弃美籍

  考验没停。2021 年美国防部把中微公司列入「涉军清单」,同年中微申诉移除;2024 年又列进去,理由是中微 2019 年获工信部颁发的刻蚀机「制造业单项冠军产品奖」——拿了个奖,被扣「涉军」。中微的回应和此前一样硬:2024年8月向美国法院起诉美国国防部,四个月后美方主动撤出清单。

  比被美国防部列入「涉军清单」影响更大的事情发生在2022年10月:美国商务部对华半导体出口管制新规里有一条「美国人条款」,美籍人士未获许可不得支持中国境内先进芯片研发,中微先后有五位美籍专家因此离开。

  尹志尧的回应是:放弃美国籍,恢复中国籍。他早年自述,在美国多年始终存着对祖国的欠缺感——「应该给自己的国家做事情」。如今 82 岁的他仍保持极高工作强度,冲在科研和管理第一线,认为中国半导体设备与国际最先进还有「两三代」差距,要用 5 到 10 年追上。

  他恢复中国籍这件事,不是做给别人看的,是做给 36 岁那年登上去美国飞机的年轻人看的。

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