gubit.cn-股比特.中国
查股网
安孚科技(603031)内幕信息消息披露
 
个股最新内幕信息查询:    
 

安孚科技:SK海力士CPO光芯片与商用光芯片原理一致,尚处学术路线图阶段

http://www.gubit.cn  2026-08-26  安孚科技内幕信息

来源 :上证e互动2026-08-26

  安孚科技(603031)100Tbps(单芯片),里面提到现在最先进的电气互联大概2Tbps,抛开架构,请问一下海力士提到的这个光芯片和目前市场商用的光芯片是同样的光芯片吗?

  尊敬的投资者:您好,感谢您对公司的关注。SK海力士在《NatureElectronics》发表的CPO技术路线图中所探讨的光互连方案,与当前市场商用的光芯片,两者在基础光子物理原理上一致,但在技术定位、应用场景及发展阶段上存在本质区别,可从以下两个层面理解:一、两者处于不同的发展阶段与应用层级。当前市场主流商用的光芯片,主要应用于可插拔光模块及共封装光学(CPO)交换机中,服务于数据中心服务器间、机架间乃至集群间的网络互联需求,是已经量产落地、支撑现有数据中心网络升级的现实技术。SK海力士所提出的,则是面向下一代AI基础设施的架构级创新构想,其核心在于远期通过光子中介层(PhotonicInterposer),将光互连推进至芯片封装内部,直接连接处理器与内存池,旨在从根本上突破传统电气互联在带宽、能耗和物理距离上的瓶颈。其提出的单节点超过100Tb/s带宽、低于1皮焦每比特、低于10纳秒延迟,是一个远期的系统级目标,目前仍处于学术路线图阶段,尚未实现产品化。二、远期构想的落地仍依赖光芯片,薄膜铌酸锂硅光异质集成是重要技术方向。需要指出的是,即使SK海力士的远期构想得以实现,其100Tb/s级的光互连系统并非凭空构成,而是由大量高性能光芯片在封装内部密集集成所支撑。在这一演进路径中,硅光异质集成薄膜铌酸锂方案因在波导插损、功耗控制、芯片厚度与尺寸集成度及高速性能上的综合优势,被业界普遍视为满足封装内高密度光互连需求的重要技术方向之一。因此,光互连从交换机级向封装内、内存级的持续演进,长期来看将进一步打开高速光芯片的市场空间与需求天花板。敬请投资者注意风险、审慎投资。

有问题请联系 767871486@qq.com 商务合作广告联系 QQ:767871486
Copyright 2007-2026
www.gubit.cn 查股网