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武汉天源:上半年营收稳增 跨界切入磷化铟半导体赛道

http://www.gubit.cn  2026-08-31  武汉天源内幕信息

来源 :中证网2026-08-31

  8月28日晚间,武汉天源披露2026年半年度报告。报告期内,公司实现营业收入8.82亿元,同比增长4.68%;实现归母净利润7702.25万元;经营活动产生的现金流量净额4334.04万元,较上年同期的-1.95亿元实现转正。

  在环保与绿色能源双主业保持稳健的同时,这份半年报透露出公司业务版图的新变化。公司披露,已于2026年8月完成对中讯半导体(江苏)有限公司的收购,取得其60%控股权,正式切入磷化铟(InP)化合物半导体衬底材料赛道。

  磷化铟作为Ⅲ-V族化合物半导体的核心材料,是高速光模块、车载激光雷达等器件不可替代的关键衬底。据Reed Intelligence数据,2024年全球磷化铟化合物半导体市场规模约为14.8亿美元,预计2033年增至41.2亿美元,年复合增长率达12.1%,其中光通信为最大应用板块,光子集成电路与车载激光雷达是增速最快的细分方向。而中国银河证券指出,国内高端6英寸磷化铟衬底国产化率不足5%。

  武汉天源选择跨界入局。半年报显示,公司已于2026年8月完成对中讯半导体的收购,取得其60%控股权。标的公司主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售,已具备单晶磷化铟等光电子半导体材料2至4英寸生产技术条件。公司表示,此番布局是“顺应人工智能算力、800G/1.6T光模块及新一代光通信产业对化合物半导体材料的刚性需求”。

  依托自身绿色能源、高端装备与项目运营积淀,武汉天源有望在化合物半导体国产化浪潮中形成差异化竞争优势。公告披露,中讯半导体成立于2022年,主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售,拥有有效专利29项。据了解,中讯半导体磷化铟衬底单晶生长良率达到30%左右。

  衬底材料的竞争最终落脚于专利积累、单晶生长工艺与良率爬坡能力。武汉天源此次以750万元的代价取得控股权,本质上是以较低成本锁定一个具备专利储备和英寸级量产技术条件的产业平台,为后续研发投入、产线建设与客户验证留出空间。公司还将配套投入6700万元,用于后续规模产线的设备购置、场地建设及流动资金补充。公司表示,将深入拓展创新型技术、产品的开发与引进,铸就公司价值整体提升。

  据介绍,从产业化规律看,化合物半导体衬底规模供货需经历研发、小试、中试、量产爬坡过程,良率与关键性能指标是核心门槛。业内指出,磷化铟衬底产线从建设到通过下游验证、批量供货,普遍需要2至3年甚至更长周期,每次晶圆尺寸升级都意味着工艺体系的重新磨合与良率爬坡。武汉天源依托中讯半导体已有的专利积累与英寸级生产技术条件,将以现有基础分阶段推进,助力国产磷化铟衬底产业发展。

  在产业生态构建上,化合物半导体领域正形成“材料-设备-设计-制造-封测-应用”的全产业链协同格局。对武汉天源而言,公司已在半年报中明确,将强化板块协同、资源共享、优势互补,构建高效协同的产业生态;其“环保+绿色能源”双主业与高端装备制造能力,为半导体新材料业务提供工程化与规模化协同基础。

  面向未来,人工智能算力与6G通信的演进,持续打开磷化铟的长期需求空间。公司在半年报中表示,将“主动识变、应变、求变”,协同联动、形成合力,强化板块协同、资源共享、优势互补,构建高效协同的产业生态。

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