来源 :Ofweek维科网2026-07-27
近日，飞凯材料（300398.SZ）在投资者互动平台表示，公司有生产应用于半导体领域的i-line光刻胶及KrF光刻配套Barc材料光刻胶，均已实现稳定量产；同时公司布局有半导体先进封装用厚膜负性光刻胶，已完成验证且正在向客户端导入，目前尚未实现量产。
目前，国内光刻胶企业普遍扎堆攻坚 KrF、ArF 前道主胶，赛道拥挤且认证周期漫长（2～3年），商业化落地难度高。而另一方面， KrF 配套辅材、先进封装厚膜光刻胶长期被日系厂商垄断，国产化率更低，是国内晶圆制造、先进封装扩产的隐形卡脖子环节。
据了解，国内 i-line 光刻胶整体国产化率约 20%，KrF 光刻胶整体国产化率不足 5%，其中配套 BARC 材料国产化率不足 10%，先进封装厚膜负性光刻胶国产化率不足 1%，几乎全部依赖日系进口。令人惊讶的是，配套辅材、封装光刻胶关注度低，但直接影响产线良率与产能爬坡，是晶圆厂、封测厂迫切需要的第二供应链选项。
或是精准洞察到行业痛点，飞凯材料避开了高端主胶内卷路线，以“成熟制程量产打底+配套辅材补短板+先进封装前瞻卡位”的差异化路径，实现多品类技术突破，走出了一条更务实的国产替代路线。
从飞凯材料的竞争策略来看，大致可分三个层次：
第一层，稳定基本盘。以 i-line 光刻胶切入规模最大的成熟制程市场，率先实现商业化量产，形成稳定的现金流与客户基础，不用长期烧钱攻坚高端主胶。
第二层，补空白卡位。量产 KrF 配套 BARC 材料，填补国内工艺配套短板，和国内 KrF 主胶厂商形成业务协同而非直接竞争，成为晶圆厂国产替代的必选配套方案。
第三层，前瞻抢增量。提前布局先进封装厚膜光刻胶，踩中 AI 算力带动的 Chiplet、HBM 封装扩产浪潮，在下一代增量赛道提前卡位。
之所以这样布局，很大程度上是结合了公司的自身实际情况与核心优势。飞凯材料原有半导体业务已覆盖湿电子化学品（显影液、剥离液）、环氧塑封料、封装微球等多品类材料，光刻胶产品可与现有产品形成“打包供应”方案，提升客户黏性与复购率。
从全球竞争态势来看，全球半导体光刻胶市场由日本 JSR、信越化学、东京应化等厂商主导，合计占据 70%以上市场份额；BARC、厚膜光刻胶等细分赛道垄断度更高，日系厂商市占率超 90%。
在 KrF 配套 BARC、先进封装厚膜光刻胶领域，飞凯材料是全球少数实现技术突破的中国厂商，跻身全球第二梯队追赶者行列，打破了日系厂商在细分赛道的独家供给格局。
不难看出，飞凯材料的突破，说明国产光刻胶不必只走“高端主胶攻坚”的单一赛道。从配套材料、封装材料切入，先易后难、分层突围，是更务实的国产替代路径，为全行业提供了差异化发展的落地实践样本。
技术术语补充介绍：
i-line 光刻胶（365nm），适配汞灯 365nm 波长光源的正性光刻胶，覆盖 90nm 及以上成熟制程节点，是 8/12 英寸成熟晶圆产线的核心耗材。下游应用于功率半导体（IGBT）、MCU 微控制器、模拟芯片、存储芯片、面板驱动芯片，对应车规、工业、消费电子等海量成熟芯片产能。
KrF（248nm）光刻工艺的必备配套辅材，涂覆在晶圆与光刻胶之间，吸收晶圆表面的反射光线，避免线路图案变形、良率下降，是 KrF 产线稳定量产的必要前提。在行业内，国内已有多家企业实现 KrF 光刻胶本体突破，但配套 BARC 长期依赖进口，导致 KrF 产线国产化始终存在“最后一块短板”。
先进封装厚膜负性光刻胶，膜厚可达 5-50μm（常规前道光刻胶膜厚多在 1μm 以内），负性特性为曝光区域固化留存，适配 TSV 硅通孔、2.5D/3D 堆叠、HBM 高带宽内存、Fan-out 扇出等先进封装工艺。下游应用于AI 服务器 GPU、高端存储芯片、车规级芯片的先进封装环节，是 Chiplet 技术路线的核心耗材之一。
