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通富微电(002156)内幕信息消息披露
 
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(深互动)通富微电:已掌握多项存储封装技术,具备高层数堆叠技术积累

http://www.gubit.cn  2026-09-11  通富微电内幕信息

来源 :深交所互动易2026-09-11

  cninfo1392378问通富微电(002156)随着新一代LPDDR向高I/O、高速率发展,请问公司是否已具备1000 Ball以上高密度BGA/PoP存储产品的量产封装能力?相关平台目前处于技术开发、客户验证还是规模量产阶段?

  2026-08-31 13:36:57

  通富微电答cninfo1392378

  尊敬的投资者,您好!公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化,持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如,公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术,具备LPDDR 12DP工程能力开发基础,在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。谢谢!

  2026-09-11 16:19:03

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